硅的体寿命取决于硅的化学纯度和具体的晶体生长方式。单晶硅具有近乎完美的结构，每个原子都在晶格结构中处于最佳位置。如果足够纯净，这种晶体材料可以有很高的寿命。多晶硅的生长成本较低，有很多晶体缺陷，例如晶界和位错。这些晶体缺陷会使多晶硅的寿命低于用同样原材料长成的单晶硅。金属杂质对寿命尤其有害，已经有广泛的研究。例如，百亿分之一的铁杂质污染就能严重影响晶体硅的寿命。不幸的是，铁是一种很常见的污染物，因为大多数拉晶、机加和切片的机器都会使用不锈钢的零件。对于硅片来说，所测的寿命通常受到表面效应和表面扩散质量（发射极饱和电流密度）的影响。可以使用Sinton寿命测试仪来监控和优化相关的生产工艺。