BSF：

一种太阳能电池技术，即铝背场电池（AluminiumBackSurfaceField），为改善太阳能电池的效率，在p-n结制备完成后，在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备P+层，称为铝背场电池。

EL测试：

用于检测太阳能电池组件的缺陷、隐裂、碎片、虚焊、断栅以及不同转换效率单片电池异常现象。

HBC：

交叉指式背接触异质结太阳电池，正面无电极遮挡，采用a-Si∶H作为双面钝化层，同时具备IBC电池和SHJ（异质结）电池的优势，能够取得更高的开路电压和更高的短路电流，从而达到更高的光电转换效率。

HJT电池技术：

Hetero-junctionwithIntrinsicThin-layer，本征薄膜异质结电池，一种高效晶硅太阳能电池结构，利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，即在P型氢化非晶硅和N型氢化非晶硅与N型硅衬底之间增加一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜。HJT电池具有工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、双面发电等优点。又称HIT,SHJ

IBC：

InterdigitatedBackContact，全背电极接触晶硅光伏电池，是将太阳能电池的正负两极金属接触均移到电池片背面的技术

N型单晶硅：

在单晶硅生产过程中掺入五价元素（如磷），使之取代硅原子，形成N型单晶硅

PECVD：

等离子体增强化学气相沉积法（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition），该法是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，等离子体化学活性很强，在基片上沉积出所期望的薄膜，从而形成介质层、含P型或N型掺杂物的薄层，进而形成PN结或形成降低表面反射率和提高硅片表面钝化效果的薄层，提升电池的光电转换率。PECVD按实现方式不同，分为管式PECVD、板式（线式流程）PECVD和集群式PECVD。

PERC电池：

PassivatedEmitterandRearContact，钝化发射极及背接触电池，一种高效晶硅太阳能电池结构，针对全铝背场太阳能电池在背表面的载流子复合较高的缺点，使用AL2O3膜或SiNX在背表面构成钝化层，并激光开膜使得铝背场与硅衬底实现有效的接触。

PERT：

PassivatedEmitterandRearTotally-DiffusedCell，钝化发射极背面全扩散电池，一种高效晶硅太阳能电池结构。这种电池系在PERC太阳能电池基础上，为了能够进一步降低PERC电池背面金半接触电阻，对背面接触区域进行背面全扩散。

PID

PID：Potential-induceddegradation（潜在电势诱导衰减），即组件长期在高电压作用下使得玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致FF、Jsc，Voc降低，使得组件性能低于设计标准