设备配件与耗材均为进口，有些精密配件属于小而贵，我们均为成本价销售，我们只是为了方便客户应急有时候会备一些库存。我们都是预付给厂家，因此国内客户请勿要求什么承兑汇票或者月结之类的付款方式。也请勿反复进行讨价还价或者找一堆贸易商过来询价，以免浪费彼此大量时间和精力。基本配件的商务流程走完我们公司都是亏钱的，因此之前设备不是从我方购买，我们建议工厂和经销商不要从我方购买配件。如果没有库存的配件，到货周期一般需要一个月以上，我们下单，厂家发货，航班，报关一套流程下来一个月已经是快的了。

如果实在无法接受预付款，我们建议你找贵方值得信赖的经销商来购买

鉴于目前疫情泛滥供应链危机和海量意向客户不能一一作答，特制定本FAQ客户须知

1. 由于疫情影响，物流与供应链随时都有可能受影响，我们的交货期与不可预知的延长或者不稳定，我们的承诺的交货期均会加“排除受疫情影响的不承担责任的‘条款，如果不能接受此条款的客户，请绕道。补充说明：目前供应链正在陆续恢复，有可能交货期会提前。

2. 由于疫情影响，我们的售后工程师不一定能够自由出差，我们承诺的售后安装培训服务，会有相当部分会基于语音视频+网络远程协助方式，如果不能接受此条款的客户，请绕道。补充说明：由于订单太多，有些仪器客户已经非常熟悉，我们建议客户在我们指导下自行安装。

3. 少部分光伏客户10%设备验收款存在无理由拖延现象，这种不守信用的方式，影响到我们公司的利益和中国公司在国外供应商的声誉，对于多次拖延付款的客户，我们可能会终止合作。有保留的会采取后期合作采用100%预付方式。

4. 我们选择的国外供应商均为行业内技术优势明显，市场占有率数一数二，我们也有多年的技术支持经验，为了减轻客户不必要的顾虑，对于少子寿命测试仪产品系列，我们承诺下单后，发货前可无条件取消订单（退预付款），发货一个月内可在保证设备无损坏的情况可退货。

5.我们可以为客户代报关进口。如果客户选择外币合同，我们发货到客户指定的机场，其他需要客户自行安排进口报关。

6.由于我们客户问询非常多，有些客户要求我们填写的他们内部格式的各种表格，我们可能没有时间填写，希望客户自行填写。我们会陆续把有些必要信息放在共享网站或者服务器，部分会加密分享给客户。建议客户利用好我们网站的内部搜索功能，非常好用。而且会越来越好用！

专用电脑和软件声明

我们所有出售的设备都预装了相关的正版软件，每台机器都有相应的校准参数，未经允许请勿擅自修改。

专用电脑为设备专用，为了保证设备的正常允许，请勿安装其他软件。

未经允许安装软件并未及时备份软件，无论是否在保修期，相关后果自行承担。

http://www.solarrd.com/btfile/TLM-SCAN+技术协议模板password.docx
http://www.solarrd.com/btfile/WCT-120MX with SunsVocMX技术协议password.docx
http://www.solarrd.com/btfile/ECV技术协议-模板2023password.docx

点击链接加入群聊【Sinton少子寿命售后QQ群】：https://jq.qq.com/?_wv=1027&k=lSigVcRv

ECV有多少个型号？

答：针对光伏行业就是一个型号“CVP21”标准型，软件针对光伏行业做了优化。半导体行业有一些特殊配件

上海瞬渺光电官方中国授权全自动电化学CV分布仪光伏太阳能领域代理商！服务众多知名光伏企业！

本设备适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，　例如：Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.CVP21的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布．选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制CVP21的系统特点• 坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立．• 精确的测量电路模块• 强力的控制软件，系统操作，使用简便• 完善的售后服务体系

电化学ECV 掺杂浓度检测 电化学CV分布仪（CV测试仪）电化学CV剖面分析仪 电化学CV载流子浓度 结深测试仪特别推荐晶硅太阳能电池研究单位使用 

ECV/结深测试仪/扩散浓度分选仪德国WEP公司的ECV（型号为CVP21）在太阳能光伏行业的应用非常普及，市场占有率甚至达95%以上，是光伏行业电池技术研究和发展的必要工具之一，几乎知名的光伏企业都有使用。 WEP公司的ECV设备：CVP21（见图）1.       ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布（见图）；2.       相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有测量使用方便，价格低的优点； WEP公司的ECV具有独特技术可应用于测试电池片的绒面样片，这也是其被广泛使用的原因之一；4.       CVP21所能测量的深度范围是nm---10um;5.       测量的载流子浓度范围在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之内都无需校准；6.       测量扩散样片时，样片是保持“Dry in”和“Dry out”，并无需做特别处理；7.       其所用到的化学试剂本地就能买到，价格低且用量很少买一次可以用好几年；8.       从CVP21所测得的数据能带给研发或工艺人员三方面的信息：一是表面浓度，二是浓度变化曲线，三是结深（见图）；9.       表面浓度对于选择和使用适合的浆料很有帮助，如粘合性，接触电阻等的匹配问题；10.   浓度分布曲线对掌握和改进扩散工艺提供依据；11.   结深的信息对电池工艺的总体把握来说是必须的，也是扩散工艺时常需要抽测的项目之一；12.   参考：测试出的几种扩散浓度分布曲线（见图）；13.   广泛的客户群：Q-CELL, NREL, ISFH, SHELL,ECN,RWE,HMI,SISE尚德，天合，晶澳，英利，交大泰阳，BYD，海润，晶科，吉阳，南玻，格林保尔…

电化学ECV 掺杂浓度检测 电化学CV分布仪（CV测试仪）电化学CV剖面分析仪 电化学CV载流子浓度 结深测试仪

全自动电化学CV分布仪 CVP21 光伏太阳能领域的首选! 众多科研和半导体领域用户的的首选!

上海瞬渺光电官方中国最佳全自动电化学CV分布仪光伏太阳能领域代理商！服务众多知名光伏企业！

  本设备适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，　例如：Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.CVP21的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布．选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制CVP21的系统特点• 坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立．• 精确的测量电路模块• 强力的控制软件，系统操作，使用简便• 完善的售后服务体系

电化学ECV 掺杂浓度检测 电化学CV分布仪（CV测试仪）电化学CV剖面分析仪 电化学CV载流子浓度 结深测试仪特别推荐晶硅太阳能电池研究单位使用 

ECV/结深测试仪/扩散浓度分选仪德国WEP公司的ECV（型号为CVP21）在太阳能光伏行业的应用非常普及，市场占有率甚至达95%以上，是光伏行业电池技术研究和发展的必要工具之一，几乎知名的光伏企业都有使用。 WEP公司的ECV设备：CVP21（见图）1.       ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布（见图）；2.       相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有测量使用方便，价格低的优点； WEP公司的ECV具有独特技术可应用于测试电池片的绒面样片，这也是其被广泛使用的原因之一；4.       CVP21所能测量的深度范围是nm---10um;5.       测量的载流子浓度范围在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之内都无需校准；6.       测量扩散样片时，样片是保持“Dry in”和“Dry out”，并无需做特别处理；7.       其所用到的化学试剂本地就能买到，价格低且用量很少买一次可以用好几年；8.       从CVP21所测得的数据能带给研发或工艺人员三方面的信息：一是表面浓度，二是浓度变化曲线，三是结深（见图）；9.       表面浓度对于选择和使用适合的浆料很有帮助，如粘合性，接触电阻等的匹配问题；10.   浓度分布曲线对掌握和改进扩散工艺提供依据；11.   结深的信息对电池工艺的总体把握来说是必须的，也是扩散工艺时常需要抽测的项目之一；12.   参考：测试出的几种扩散浓度分布曲线（见图）；13.   广泛的客户群：Q-CELL, NREL, ISFH, SHELL,ECN,RWE,HMI,SISE尚德，天合，晶澳，英利，交大泰阳，BYD，海润，晶科，吉阳，南玻，格林保尔… 电化学ECV 掺杂浓度检测 电化学CV分布仪（CV测试仪）电化学CV剖面分析仪 电化学CV载流子浓度 结深测试仪金牌优质服务 提供免费样品测试并提供测试报告。保修期：2年，终身维修。对用户承诺终身免费样品测试每月1次。电化学CV分布仪（CV测试仪）产品经理：Mike Zhai联系电话：021- 34635258/59/61/62手      机：13681980050邮      箱：mike@rayscience.com　 CVP21 详细资料下载 电化学ECV 掺杂浓度检测 电化学CV分布仪（CV测试仪）电化学CV剖面分析仪 电化学CV载流子浓度http://www.rayscience.com/cv/27594.pdfhttp://www.rayscience.com/cv/ECVBSF.pdfhttp://www.rayscience.com/cv/ECVPKHALLSIMSSRP.pdfhttp://www.rayscience.com/cv/flyer-cvp21.pdfhttp://www.rayscience.com/cv/Heterojunctions.pdfhttp://www.rayscience.com/cv/ISFH.pdfhttp://www.rayscience.com/cv/ISFHECV.pdfhttp://www.rayscience.com/cv/KonstanzECV-Profiles.pdfhttp://www.rayscience.com/cv/Letter_of_Excellence_Distributor_for_Rayscience.pdfhttp://www.rayscience.com/cv/semiconductortoday.pdfhttp://www.rayscience.com/cv/wepsellscvp21.pdf

1. 平衡载流子与非平衡载流子

当有光照射硅表面或者有电注入时，半导体就会出现呈现非平衡状态，此时电子浓度为n=n0+△n，空穴浓度为p=p0+△p，并且二者满足△n=△p。

其中△n和△p称为非平衡载流子，也称为过剩载流子。（也就是偏离热平衡所增加的载流子，在太阳能电池而言光照是电池运作产生非平衡载流子的原动力。）

比如P型半导体：非平衡空穴为非平衡多数载流子，非平衡电子虽然是非平衡少数载流子，但起到的作用更大，通常说的非平衡载流子指的是“非平衡少数载流子”

2. 利用Al2O3钝化有什么作用：少数载流子寿命

非平衡载流子从产生到消失的时间即为其寿命，寿命越长，说明其存在的时间越长，就越有利于提高太阳能电池光电转换效率。光电导实验表面非平衡载流子的浓度下降呈现指数衰减。

复合过程：

3. 与相关表征参数的关系

少子寿命越长，光电流Iph越大，Iph越大，开路电压Voc越大，随着少子寿命增加，短路电流Isc和填充因子FF均会相应增大。

4. 少数载流子寿命的测量

对于少子寿命的检测是基于公式：

△p(t)=△p0 · exp(-t/τ)

测量方法包括非平衡载流子的注入和检测两个方面。

光电导衰减法是目前国际上通用的测量少子寿命的方法，有微波光电导衰减法（microwave photoconductance decay, μ-PCD）和准稳态光电导法（quasi-steady state phtoconductance, QSSPC）。

微波光电导衰减法

μ-PCD测试少子寿命包括光注入产生电子-空穴对和微波探测信号的变化两个过程，测试的是有效寿命，包括体寿命和表面寿命。

激光注入产生电子-空穴对，样品电导率的增加，当撤去外界光注入的时候，电导率会随着时间指数衰减，这种趋势反应少子的衰减趋势，则可以通过观测电导率随时间变化的趋势测少子寿命，依据微波信号的变化量与电导率的变化量成正比，微波信号可以探测电导率的变化。

对于太阳电池，该方法的优点是测量结果与光强无关，是无接触、无损伤、快速测试，能够测试较低寿命，能够测试低电阻率的样品（最低可以测 0.01Ωcm 的样品）、既可以测试硅锭、硅棒，也可以测试硅片，电池样品没有经过钝化处理就可以直接测试、对测试样品的厚度没有严格的要求 缺点是在一个太阳光强下的寿命转化得到的信号太小了，需要克服噪声影响。

准稳态光电导法

QSSPC的原理与稳态光电导法类似，由于采用的光源衰减非常缓慢，脉冲衰减时间是17~18ms，远高于被测材料中的少数载流子寿命，因此可以认为在测量过程中，被测材料的非平衡载流子处于恒定值，光源恒定时测量硅片的电导率，并且将电导率转化为载流子浓度，计算得到寿命与载流子浓度的关系。

QSSPC方法的优点在于它能够在大范围光强变化范围区间(10-5-1000suns)内对非平衡载流子浓度进行绝对测量，从而得出少子有效寿命。该技术可以测试太阳能电池制作电极之前任何工艺步骤，同时，稳态扫描减少了陷阱效应的影响，因此可以用来测量多晶硅材料的少数载流子寿命，并且它测量的寿命值被认为是真实的寿命值，而不是微分寿命。

薄层电阻是一种简单快速的测量技术，薄层电阻率定义式为：

其中： � 是电阻率，t是厚度， �□ 薄层电阻的单位是Ω/□。

常见用于测量薄层电阻的是四探针（4PP），四根等间探针呈直线分布或正反向分布，两个探针测量电流，两个探针测量电压。测量过程假设电流只在探针接触区流动，两个探针间流过稳定电流，测量另外两个探针间的电压降。掺杂原子的均匀性可以通过在硅片表面一系列的测试获得。

Sinton instruments 少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120

硅片少子寿命测试系统 

    美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。

    美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。主要应用：分布监控和优化制造工艺其它应用：

检测原始硅片的性能测试过程硅片的重金属污染状况评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。

主要特点：只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试，包括表面电阻，少子寿命，陷阱密度，发射极饱和电流密度和隐含电压。

少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120常见问题：美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）准稳态光电导衰减法，而WT2000是微波光电导衰减法。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导） 准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？    QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。    MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。　少子寿命测试仪性能参数？ 测量原理：QSSPC（准稳态光电导）； 少子寿命测量范围：100 ns-10 ms；测试模式：QSSPC，瞬态，寿命归一化分析；电阻率测量范围：3–600 (undoped) Ohms/sq.；注入范围：1013-1016cm-3；感测器范围：直径40-mm；测量样品规格：标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；硅片厚度范围：10–2000  μm；外界环境温度：20°C–25°C；功率要求：测试仪： 40 W ，  电脑控制器：200W ，光源：60W；通用电源电压：100–240 VAC 50/60 Hz；少子寿命测试仪成功使用用户？江苏，上海，北京，浙江，西安，四川，河北，河南等地的硅料生产企业及半导体光伏拉晶企业等等。浙江大学，中山大学，浙江师范大学，卡姆丹克太阳能，南玻光伏，荣马新能源，山东润峰电力，宁波金乐太阳能，宁波富星太阳能，晶澳太阳能，海润光伏，常州比太，LDK,苏州阿特斯，西安隆基等等 

少子寿命测试仪WCT-120MX+Suns-VocMX

美国Sinton公司 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc产品资料 1、  设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等  Suns-Voc包括如下部分：1）  放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等  少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2）  量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3）  量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4）  量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05）  量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6）  WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs     2、  技术参数2.1 WCT-120技术参数1）  符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2）  量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3）  硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4）  量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5）  量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6）  可调光偏压范围：0-50suns7）  经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38）  光源光谱：白光和红外光9）  光源波长：>1000nm10）     量测样品感应器大小：直径为40mm11）     感应器感应深度：3000um12）     量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13）     量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14）     样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied Voc）15）     搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作为WCT-120的附件。16）     A/D转换器的分辨率：12bit 最大采样率为5MS/s17）     工作温度：20℃-25℃18）     设备尺寸：22.5 cm 宽 x 28 cm深 x 57 cm 高19）     通用电源电压：100-230VAC, 50/60Hz20）     保质期：一年保修所有硬件和软件2.2 Suns-voc技术参数1） 量测得到样品在开路状态下的赝电流电压（implied IV）曲线：2） 量测得到样品在做成电池片之前获知其本应能够得到的最大效率值，和最大填充因子。3） 可以实现对样品进行双二极管模型分析，得到电池片的J01和J02。4） 得到样品的并联电阻（shunt Resistance）电阻值，分析电池片的漏电状况。5） 经过校准的光源的辐照范围：0.006-6个suns6） 量测样品尺寸：最大为210mm7） 夹具温度可控制在25摄氏度8） 工作温度：18℃-25℃9） 设备损耗功率：260W10）设备尺寸：32 cm 宽 x 28.5 cm深 x 75 cm 高11）量测原理：电池片工作在开路状态，通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值，软件内建双二极管模型回推得到J01，J01, Rshunt等参数，也可以通过计算得到电池片的少子寿命值，并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数（最大效率，最大填充因子等）3、WCT-120&Suns-voc设备应用      1）监测原始材料的质量，对其进行等级分类。      2）检测晶元重金属含量处理      3）评估硅片表面和发射极掺杂扩散      4）电池片制造工艺的监控和优化      5）提供太阳能电池片在加工过程中能够得到的最大IV参数4、WCT-120&Suns-Voc组成清单      1）WCT-120样品台一个2）含有红外滤光片的WCT-120程控闪光灯光源系统一套3）Suns-Voc样品台一个4）带有中性滤光片的Suns-Voc程控闪光灯光源系统一套5）信号盒一个6）带有WCT-120和Suns-Voc软件和NI数据采集卡的电脑一套7）硬件连接线缆      8）电源供应器一套      9）校准套件 一套

加电压表测得开压V0，是断路状态，断路状态下，内部正向二极管的正向扩散电流，等于光生电流，光生电流可以直接用低电阻的电流表测到（相当于等于短路电流），这个得到的其实是太阳电池作为二极管的电压电流，通过改变不同光强，得到的其实是二极管不考虑串阻Rs下的IV特性曲线，而这个V0是二极管两端直接加的电压，不包含Rs的影响，而可以通过直接测量电流得到。上述是改变不同的光强，得到的分析，因此称为Suns（不同光强），得到不同的Voc，即Suns-Voc。

BCT-400一般用来测硅锭，只能测平面；BLS一般用来测硅棒，测量范围：测直径150mm～平面。

当光照射晶体硅时，能量高于阈值能量即晶硅带隙的光子会被晶硅吸收，产生过剩载流子。这些载流子在返回低能量状态之前，会存活一段时间，存活的特征时间就是它们的“寿命”。回到低能量状态的过程叫做复合，所以过剩载流子回到低能量状态的特征时间叫做复合寿命。

如果过剩载流子的寿命比它穿过硅片厚度所需要的时间也就是过渡时间长，那么光产生的大部分过剩载流子都可以以电流的形式从电池端被收集。如果硅片材料中载流子的寿命比过渡时间长很多，那么可以在更高的电压下收集电流，将收集的电流固定不变时，寿命越高电压就越高。如果太阳电池的所有其他设计都相同，具有较高载流子复合寿命的电池将具有更高的效率。高效太阳电池的设计很大程度上依赖于载流子寿命。标准的太阳电池只在一定程度上依赖于载流子寿命，因为电池效率随着寿命升高到一定程度后，会受其他损失的限制出现平台而不再上升。

硅的体寿命取决于硅的化学纯度和具体的晶体生长方式。单晶硅具有近乎完美的结构，每个原子都在晶格结构中处于最佳位置。如果足够纯净，这种晶体材料可以有很高的寿命。多晶硅的生长成本较低，有很多晶体缺陷，例如晶界和位错。这些晶体缺陷会使多晶硅的寿命低于用同样原材料长成的单晶硅。金属杂质对寿命尤其有害，已经有广泛的研究。例如，百亿分之一的铁杂质污染就能严重影响晶体硅的寿命。不幸的是，铁是一种很常见的污染物，因为大多数拉晶、机加和切片的机器都会使用不锈钢的零件。对于硅片来说，所测的寿命通常受到表面效应和表面扩散质量（发射极饱和电流密度）的影响。可以使用Sinton寿命测试仪来监控和优化相关的生产工艺。

我们的测试系统使用涡旋电流方法。将一个传感器（内置于仪器样品台的线圈）置于晶硅样品附近并向晶硅发射电磁波。然后用光脉冲照射样品以产生过剩载流子，线圈电路能够感应到由过剩载流子引起的电导升高。测试系统分析这些数据并给出光脉冲期间以及结束之后的过剩载流子的寿命。

我们使用瞬态光电导技术，和我们在1994年开发的准稳态光电导（QSSPC）方法。对于精确测量载流子复合寿命，这些方法是业界公认的校准最仔细的技术。文献中有超过1000篇的学术论文讨论这些测试技术所采集和分析的数据。

可以，在文献中，这些仪器是最常用的测量表面复合速度的仪器。购买设备时提供的应用说明中可以找到更多有关的细节。

这是仪器的另一个常见的用途。购买设备时提供的应用说明中可以找到更多有关的细节。

可以，针对如何测量无表面钝化的p型硅片，我们专门有一个应用说明。没有表面钝化时，寿命测量值非常低，因为光产生的载流子迅速扩散到表面并复合。然而，使用寿命测量值和与晶体质量相关的陷阱捕捉特性，仍旧可以确定硅片在大多数太阳能电池相关范围内的质量。

可以使用WCT-120，BCT-400，和BLS-I，手动获取较为粗略（厘米级）的分布图。

微波PCD主要用于生成高分辨率的分布图，反映样品的不均匀性和局部缺陷。而Sinton Instruments的寿命测试仪主要用来测量样品在不同载流子密度下的寿命和表面复合特性的校准结果（绝对值结果）。Sinton Instruments测试仪的测试结果都是经过校准的、有实际物理单位的绝对值结果，可以用于模拟和预测太阳电池的性能。这些结果还可以与使用不同技术、在不同的实验室或公司获取的校准的寿命测试结果直接比较。而微波PCD测试通常仅从仪器的原始数据给出曲线拟合的参数（微波反射信号的主要模式的寿命）。大多数情况下，微波PCD的结果都是相对值而非有实际物理单位的绝对值。某些特殊情况下可以将这些结果与校准的测试结果比较。然而通常微波PCD的测试结果都因信息不足而无法与任何其他寿命测试结果比较。一些先进的实验室会报告校准的微波PCD测试结果，但这种技术更常用于不校准的测试中。

寿命0.1到20,000微秒的表面钝化的硅片。
寿命0.1到10,000微秒的无表面钝化的硅锭。

使用设备的默认出厂校准模式，可以测量直径（大于）4 cm的样品。用户可以为测量小尺寸样品对仪器重新校准。我们建议最小可测量1平方厘米的样品。

利用红外光激发作用。红外光可以在硅棒深处产生过剩载流子，100到1000微米的深度范围都有显著的光生载流子。这些载流子相对远离表面，可以很好的反映材料的体寿命。对于常用于太阳电池的p型材料，我们专门做了一项修正表面复合效应以报告真实体寿命的分析。对于寿命较高的样品，无论是p型还是n型，我们都使用瞬态方法进行测试，靠近表面的载流子会在测试初始阶段迅速在表面复合，越处于衰减后期的数据越逼近真实体寿命。
该测试所给出的寿命结果是过剩载流子密度的函数。

通常，为了传达更多信息，测试结果会给出所有测到的载流子密度下的寿命数据。对于单点测量，我们建议测试1E15 cm载流子密度处的寿命。过去15年所报告的大部分寿命数据都是该载流子密度的结果。其好处包括：与太阳电池的效率相关；寿命测试仪所测的这一点附近的数据有很好的的信噪比；对于各式各样的样品，该点大多数情况下都在所测的载流子密度范围内；可以用于确定Fe杂质污染情况；能有效地用于发射极饱和电流密度的测量或计算。

可以！我们有一个应用说明，解释如何使用寿命测试仪的数据来确定铁杂质污染。

可以！我们有一个应用说明，解释如何使用寿命测试仪的数据来确定铁杂质污染。

为了获取电导的绝对值结果，使用四探针法的测试结果对仪器的电导传感器进行校准。瞬态模式测试仅需要此项校准。光强传感器的校准有几种方法。第一种是对比QSSPC和瞬态模式的测试结果，依此校准QSSPC测试中的光强。另一种办法是使用已知强度的光源对参比电池进行校准。我们在工厂校准中使用后一种方法。

可以对初始硅片进行测试，然后在磷扩散之后再次测试（来监控工艺流程前端的掺杂质量和硅片污染情况）。使用产线寿命测试仪也可以对氮化硅沉积工艺进行优化和监控。

可以，每次测量中，我们会把一定光强范围内的光电导数据记录成光强度的函数。利用该函数数据中低载流子密度范围的寿命曲线形状，可以确定陷阱浓度，进而把由陷阱捕捉效应引起的光电导和自由电子-空穴对产生的电导分开。测试结果会相应地给出陷阱浓度和电子-空穴复合寿命。

是的，我们提供的所有组件测试仪器都包含了最常用的Suns-Voc分析。这项技术由Sinton Instruments公司开发并商品化，从1995年开始就包含在我们的仪器中。

组件测试仪的标准配置是C类光谱。用户可选配滤光设备使光源满足A类光谱的要求，然而Sinton Instruments公司建议使用C类光谱测试晶硅组件。

光谱等级并不与测量精度直接相关联，所以仅凭使用特定类别的光谱并不能保证测试数据更好（例如，参见Herrmann等在2007年第22届EU PVSEC会议记录中发表的“Advanced Intercomparison Testing of Testing of PV Modules in European Test Laboratories”）。我们标配的未经滤光的C类光谱光源功率要求低、成本低，在总体上来说是更环保、更便捷、并且不会影响测试精度的解决方案。

Sinton光源从1.2 suns衰减到0.2 suns，对于此范围内的任何光强，我们都可以构建I（V）曲线；然而，用户应当清楚，光谱在脉冲衰减过程中会有红移现象，现有的光谱是为1 sun的工作条件优化过的（在1 sun条件下使用效果最佳）。

标准配置的FMT-500能够每秒钟闪光一次。用于高通量测试时，建议将测试仪配置成五次闪光模式，以精确测量Voc、Jsc和Vmp，总测试时间不超过7秒。

测试仪不包含用于安装组件的装置；用户需自行安装、固定组件。Sinton Instruments公司乐意与您商讨组件安装相关的解决方案。

标准测试仪可以测量功率500W的组件，最大15A的短路电流和最高120V的开路电压，但用户可以定制其他测试范围。

Sinton Instruments出售的组件测试仪具有完整的系统，包括：光源及其电源供应系统、电子负载、计算机和数据采集系统以及分析软件。

是的。已有多家组件制造商使用这些测试仪测试了超过20 GW的组件。其中某些公司的生产全程都使用Sinton Instruments的组件测试仪进行测试。

氙气闪光灯与太阳光谱非常匹配，尽管其红外部分较高。标准Sinton光源带有光学滤光配件，可满足A类光谱的要求。

是的，我们提供的所有电池测试仪器都包含了最常用的Suns-Voc分析。这项技术由Sinton Instruments公司开发并商品化，从1995年开始就包含在我们的仪器中。

标准配置的FCT适用于进行0.2到1.2 suns的光强范围的测试。用户可以定制更高的光强范围。

借助闪光脉冲衰减的特性，Sinton测试仪能够在每次闪光过程中，获取电流和电压随光强变化的数据。Sinton测试仪能够有效地在电池电荷处于稳定状态时对光强进行扫描；这与常规测试仪不同，常规测试仪在单次光脉冲期间，以恒定光强对电压进行扫描。测试仪在单次闪光中就可以获取所有的从峰值光强到较低光强的数据，进而可以用特定的闪光序列构建不同光强下的I(V)曲线。

FCT-650测试仪适用于研发，标准配置可以在7秒内完成对太阳电池I(V)特性、Suns-Voc曲线、衬底掺杂和暗并联电阻的测试。FCT-750测试仪则适用于生产，其测试内容相同，每小时可测4800个单元。。

是的。标准的前接触电池固定装置是可调节、可定制的结构，已被用于测试双主栅60 mm × 60 mm，到5条主栅线210mm x 210mm的各式各样的电池片。我们有为各种电池包括背接触电池和双面电池设计和定制接触样品台的经验。

标准的1  sun电池测试仪能够测量15A以内的电流。用户可以定制能够测试更高电流范围的测试仪，请联系Sinton Instruments公司获取更多详细信息。

Sinton Instruments出售的电池测试仪具有完整的系统，包括：光源及其电源供应系统、电子负载、计算机和数据采集系统以及分析软件。当前我们不单独出售电池测试仪器的样品固定装置和电子负载系统。

是的。我们的标准电池测试仪包含冷却和加热元件，它们能让样品台保持在恒定温度，或将其加热或冷却到高于或低于环境温度10 °C的温度。测试过程中，由于闪光灯的占空比很低，所以样品温度能够基本保持恒定。用户可选配更高温度范围的样品台。

是的，FCT-750设备已经用于生产；它尤其适合高效太阳电池结构（PERC、HJT等）的精确、高通量测试。Sinton Instruments公司乐意与您讨论该设备的产线集成方案。如果您对这方面的应用感兴趣，请联系我们。

1.是否需要2D或者3D 相机辅助探针定位？

有相机可以自动定位和下针节约大量的工程师时间，我们的90%客户会选择包含相机的定位的功能

2.要测的栅线间距多少？

我们提供的探头范围如下

低于1.0mm按客户要求定制固定间距探头。其它范围间距探头如下：
1.0-1.2mm
1.2-1.8mm
1.8-2.4mm
2.4-3.0mm

3.是否需要四探针功能？

如果客户已经有四探针了，我们一般不建议客户购买，用四探针功能需要更换探头和测试台，大概需要15分钟时间。另外需要增加8000欧元的成本。

接触电阻率和薄层电阻 TLM-SCAN+
前金属化的接触电阻是对丝网印刷太阳能电池的总串联电阻的重要贡献。 具有合适测试结构的转移长度方法是将接触电阻与其他串联电阻效应分开的最佳方法。 然而，接触电阻可以在太阳能电池上显着变化，因此需要在成品太阳能电池上以空间分辨率测量它的方法。 TLM-SCAN产生太阳能电池的接触电阻率的映射，该太阳能电池用激光或切割锯切割成条纹。

右侧的映射显示了分辨率和可重复性，因为它显示了14次测量的相同条带。

接触电阻率测量仪

这款紧凑型仪器测量成品太阳能电池的接触电阻率，手指线电阻，手指宽度和手指高度，或者测试结构。

通过在所有轴上电动化，可以通过按一个按钮来创建所有这些方法的地图。

用于测量薄扩散层的薄层电阻和晶圆电阻率的四点探头，使得TLM-SCAN 成为一种低成本，快速，高质量的四点探针贴图仪。

使操作更简单的功能：
自动位置校正以获得最佳接触质量
盖子关闭时自动启动
自动采样编号
软件探头识别
精确的导航与欢乐棒和显微镜相机
通过点击图像来探测定位和重新测量单点

多功能太阳电池栅线接触电阻测试仪

晶体硅太阳能电池的表面金属欧姆接触的好坏通过接触电阻来反映。在太阳能电池电极优化中，接触电阻是需要考量的一个重要方面。接触电阻的大小不仅与接触的图形有关，还与扩散工艺及接触形成工艺有关。不同栅线图形的欧姆接触好坏可以通过接触电阻率的大小来反映。因此，通过对接触电阻率的研究计算可以反映扩散、电极制作和烧结等工艺中存在的问题。但现在的测量方法存在测量时间长、效率低、精度差等缺陷，而又同时缺少一种专门测量太阳能电池接触电阻的测试设备，因此不利于太阳能电池接触电阻测量在产线上的应用。本技术成果采用TLM法测量接触电阻，结合电机平台、摄像头及计算机控制等技术已基本能实现自动测量和结果分析计算等功能。

市场预测：本技术成果可应用于电池生产厂家、银浆生产厂家等与电池栅线工艺有关的企业，以便快速测量栅线接触电阻检测改进工艺。目前还没有成熟的本类产品，如能及早开发及产业化推广，本技术开发的产品将在市场上占得先机。目前，实验室已制备出可以应用的样机，某些银浆生产厂家已试用过并以测量结果作为参考改进产品。
一个样品上多个TLM测试图案的批处理模式
序列模式通过按一个按钮来测量接触电阻率和手指几何图形的映射

Contact resistivity and more

Contact resistivity and sheet resistance

The contact resistance of the front metallization is an important contribution to the total series resistance of screen-printed solar cells. The transfer length method with a suitable test structure is the best method to separate the contact resistance from other series resistance effects. However, the contact resistance may vary considerably over the solar cell so a method to measure it with spatial resolution on the finished solar cell is necessary. The TLM-SCAN creates mappings of the contact resistivity of a solar cell that is cut into stripes with a laser or a dicing saw.

The mapping on the right demonstrates the resolution and repeatabilty as it shows the same stripe measured 14 times.

技术协议见附件，已经加密，需要打开请联系我们

德国WEP公司的ECV（型号为CVP21）在太阳能光伏行业的应用非常普及，市场占有率甚至达95%以上，是光伏行业电池技术研究和发展的必要工具之一，知名的光伏企业都有使用。
 
WEP公司的ECV设备：CVP21（见图）
1.       ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布（见图）；
2.       相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有测量使用方便，价格低的优点；

WEP公司的ECV具有独特技术可应用于测试电池片的绒面样片，这也是其被广泛使用的原因之一；

4.       CVP21所能测量的深度范围是nm---10um;
5.       测量的载流子浓度范围在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之内都无需校准；
6.       测量扩散样片时，样片是保持“Dry in”和“Dry out”，并无需做特别处理；
7.       其所用到的化学试剂本地就能买到，价格低且用量很少买一次可以用好几年；
8.       从CVP21所测得的数据能带给研发或工艺人员三方面的信息：一是表面浓度，二是浓度变化曲线，三是结深（见图）；
9.       表面浓度对于选择和使用适合的浆料很有帮助，如粘合性，接触电阻等的匹配问题；
10.   浓度分布曲线对掌握和改进扩散工艺提供依据；
11.   结深的信息对电池工艺的总体把握来说是必须的，也是扩散工艺时常需要抽测的项目之一；
12.   参考：测试出的几种扩散浓度分布曲线（见图）；
13.   广泛的客户群：Q-CELL, NREL, ISFH, SHELL,ECN,RWE,HMI,SISE尚德，天合，晶澳，英利，交大泰阳，BYD，海润，晶科，吉阳，南玻，格林保尔…
 

仪器简介：电化学ECV,掺杂浓度检测（C-V Profiling）PN结深测试

    电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。 

    本设备适用于在半导体生产中的外延过程的性能评估和过程控制，可以测试多种不同的材料，例如：硅, 锗, III-V 族和 III-N族材料等。CVP 21的模块化系统结构让测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布变得高效、准确。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制 。

CVP21的系统特点： 
  *坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立． 
  *精确的测量电路模块 
  *强力的控制软件，系统操作，使用简便 
  *完善的售后服务体系 

提供免费样品测试并提供测试报告。 
保修期：2年，终身维修。 
对用户承诺终身免费样品测试每月1次。

技术参数：

我们在电化学方分布测试产品方面有超过３０年的经验和世界上较为先进的电路系统。

全自动，特别适用于新材料，如氮化镓，碳化硅材料等。　 

有效检测: 外延材料、扩散 、离子注入 
适用材料: CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。 
IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等; 
III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等; 
三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等; 
四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等; 
氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等; 
II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等; 
其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。 
　 
载流子浓度测量范围: 
*最大 1021/cm3； 最小 1011/cm3 
深度解析度: 最大无上限；最小可至1 nm （或更低） 
模块化系统结构: 拓扑型结构，实时监控腐蚀过程，适于微小样品及大尺寸的晶圆，全自动化系统。

主要特点：

CVP21电化学ECV是半导体载流子浓度分布完美的解决方案： 
1， CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。 
  * IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等; 
  * III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等; 
  * 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等; 
  * 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等; 
  * 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等; 
  * II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等; 
  * 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。 
2， CVP21可用于不同形态的样品：多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)、标准样品尺寸从4*2mm ~ 8英寸晶圆(更小尺寸样品请预先咨询我们)。 
3， CVP21拥有很好的分辨率范围。 
  * 载流子浓度分辨率范围从< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3 
  * 深度分辨率范围从1nm ~ 100um (依样品类型、样品质量决定) 
4， CVP21是一套完整的电化学ECV测量系统。 
  * 系统可靠性高(仪器的电子、机械、光学、液体传动几个主要部分均经特殊设计) 
  * 免校准的系统(完全自校准的电子系统，电缆电容均无须用户再次校准) 
  * 易于使用(全用户管理软件优化，在实验室环境或生产环境均易于使用) 
  * 照相机镜头控制(过程在线由彩色照相机镜头控制；每次测量后，镜头数据均可取出。) 
  * 实验菜单(测量菜单预定义，优先权用户可以很容易修改或改进测量菜单) 
  * Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (电化学样品池自动装载/卸载/再装载，优先权用户易于修改，进行样品dry-in/dry-out处理。)

全自动电化学CV分布仪 CVP21光伏太阳能领域的优质选择! 众多科研和半导体领域用户的的心仪之选!

瞬渺 为中国全自动电化学CV分布仪光伏太阳能领域知名代理商！服务众多知名光伏企业！

本设备适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，　例如：Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.

CVP21的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布．选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制

CVP21的系统特点
- 坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立．
- 精确的测量电路模块
- 强力的控制软件，系统操作，使用简便
- 完善的售后服务体系

全自动，　特别适用于新材料，　如氮化镓，　碳化硅材料，多晶硅等等。　
有效检测:

• - 外延材料

• - 扩散

• - 离子注入

适用材料:  CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。

• IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等…

• III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等…

• 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等…

• 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等…

• 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等…

• II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等…

• 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。

载流子浓度测量范围:

• - 最大 10²¹/cm3

• ?最小 10¹¹/cm3

深度解析度:

• - 最大无上限

• - 最小可至1 nm （或更低）

模块化系统结构:

• - 拓扑型结构

• - 实时监控腐蚀过程

• - 适于微小样品及大尺寸的晶圆

全自动化系统:

- 精密的电路，电子系统

- 强力的软件 

除了薄层电阻，详细了解硅片的真实掺杂浓度亦非常重要。研究和生产中主要有三种典型技术用于检测掺杂浓度：二次离子质谱法（SIMS），电化学电容-电压法（ECV）和电阻分布法。

SIMS测试包括使用高能粒子对样品进行物理刻蚀及随后的原子质量分析，SIMS既能探测电活性杂质也能探测非电活性杂质。但是，其相对价格昂贵且耗时，在绒面上使用更是一个挑战。

电化学电容-电压测试是太阳电池研究发展中最常见的用于测量掺杂特性的工具，其相对廉价且快速。硅样品插入电解液中从而导致肖特基接触的形成，随后，在样品上施加一个小的交流偏置信号，该交流信号将导致耗尽区发生改变，进而电容发生改变。电容的改变量可用于计算表面区域的载流子浓度。如果将该样品按照预先设定的时间进行刻蚀剥离，而后继续上述测量，可以测量载流子浓度随深度的变化。ECV仅用于测量电活性杂质。

仪器名称电化学CV测试仪型号CVP21供应商名称瞬渺光电设备重量80kg设备尺寸（长、宽、高）70cm*60cm*40cm额定电压/功率220V/50Hz300瓦配属设施(是否用电脑、桌子等）是标配设施主系统，电化学室，参考电极彩色CCD相机，计算机，打印机等等水气需求情况1. 真空泵Vacuum to hold sample(<0.2 bar) Tube ID4mm/ OD6mm2. N2 or dry air(oil free, to dry sample after process)Tube ID4mm/ OD6mm Typ. 4 bar.(should be adjustable 2-6bar) 水气排放状况1.有盖子石灰水塑料桶一个（废液处理）2.排气管道一个Exhaust Tube with ¾ inch ID（废气处理） 设备运行环境要求主要环境要求: max. 30°C, 不要有阳光直接照射. For Silicon (because of Fluoride electrolytes): 通风良好.

钙钛矿型太阳能电池（perovskite solar cells），是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池，即是将染料敏化太阳能电池中的染料作了相应的替换。在这种钙钛矿结构（ABX3">ABX3\bf{ABX_3}，图1）中，A一般为甲胺基CH3NH3">CH3NH3\bf{CH_3NH_3}，CH3CH2NH3+">CH3CH2NH3+\bf{CH_3CH_2NH^{3+}}和NH2CH=NH2+">NH2CH=NH2+\bf{NH_2CH\!\!=\!\!NH_2\,^+}也有报道；B多为金属Pb原子，金属Sn也有少量报道；X为Cl、Br、I等卤素单原子或混合原子。目前在高效钙钛矿型太阳能电池中，最常见的钙钛矿材料是碘化铅甲胺（CH3NH3PbI3">CH3NH3PbI3\bf{CH_3NH_3PbI_3}），它的带隙约为1.5 eV。

图1 钙钛矿型晶格结构

钙钛矿太阳能电池的结构

如图示，钙钛矿太阳能电池由上到下分别为玻璃、FTO、电子传输层（ETM）、钙钛矿光敏层、空穴传输层（HTM）和金属电极。

其中，电子传输层一般为致密的

TiO2">TiO2\tt{TiO_2}

纳米颗粒，以阻止钙钛矿层的载流子与FTO中的载流子复合。通过调控

TiO2">TiO2\tt{TiO_2}

的形貌、元素掺杂或使用其它的n型半导体材料如ZnO等手段来改善该层的导电能力，以提高电池的性能。目前报道的最高效率（~19.3%）的电池使用的即是钇掺杂的

TiO2">TiO2\tt{TiO_2}

。

钙钛矿光敏层，多数情况下就是一层有机金属卤化物半导体薄膜。也有人使用的是有机金属卤化物填充的介孔结构（

TiO2">TiO2\tt{TiO_2}

、

ZrO2">ZrO2\tt{ZrO_2}

和

Al2O3">Al2O3\tt{Al_2O_3}

骨架），或者两者都存在，但没有证据表明这种结构有助于电池性能的提高。

空穴传输层，在染料敏化太阳能电池中，该层多为液态

I3−/I−">I3−/I−\tt{I_3^-/I^-}

电解质。由于

CH3NH3PbI3">CH3NH3PbI3\bf{CH_3NH_3PbI_3}

在液态电解质中不稳定，使得电池稳定性差，这也是早期的钙钛矿电池的主要问题。后来，Grätzel 等采用了如spiro-OMeTAD,

PEDOT:PSS等固态空穴传输材料，电池效率得到了极大提高，并具有良好的稳定性。

特别地，钙钛矿还可以同时作为吸光和电子传输材料或者同时作为吸光和空穴传输材料。这样，就可以制造不含HTM或ETM的钙钛矿太阳能电池。

图2 钙钛矿太阳能电池的结构及其载流子传输机制

钙钛矿太阳能电池中的物理过程

在接受太阳光照射时，钙钛矿层首先吸收光子产生电子-空穴对。由于钙钛矿材激子束缚能的差异，这些载流子或者成为自由载流子，或者形成激子。而且，因为这些钙钛矿材料往往具有较低的载流子复合几率和较高的载流子迁移率，所以载流子的扩散距离和寿命较长。例如，

CH3NH3PbI3">CH3NH3PbI3\bf{CH_3NH_3PbI_3}

的载流子扩散长度至少为100nm，而

CH3NH3PbI3−xClx">CH3NH3PbI3−xClx\bf{CH_3NH_3PbI_{3-x}Cl_x}

的扩散长度甚至大于

1μm">1μm1\mu m

。这就是钙钛矿太阳能电池优异性能的来源。

然后，这些未复合的电子和空穴分别别电子传输层和空穴传输层收集，即电子从钙钛矿层传输到

TiO2">TiO2\tt{TiO_2}

等电子传输层，最后被FTO收集；空穴从钙钛矿层传输到空穴传输层，最后被金属电极收集，如图2所示。当然，这些过程中总不免伴随着一些使载流子的损失，如电子传输层的电子与钙钛矿层空穴的可逆复合、电子传输层的电子与空穴传输层的空穴的复合（钙钛矿层不致密的情况）、钙钛矿层的电子与空穴传输层的空穴的复合。要提高电池的整体性能，这些载流子的损失应该降到最低。

最后，通过连接FTO和金属电极的电路而产生光电流。

Reference：

1. The emergence of perovskite solar cells, Nature Photonics, 2014, 8, 506–514.

2. Perovskite Solar Cells: From Materials to Devices, Small, doi: 10.1002/smll.201402767.

3. Long-Range Balanced Electron- and Hole-Transport Lengths in Organic-Inorganic CH3NH3PbI3, Science, 2013, 342, 344-347.

 澳大利亚BT Imaging公司 R3&R2-Plus PL成像检测系统（光致发光成像检测系统）
    LIS-R3

LIS-R3是一台全新升级的TOP实验室设备，适用于硅块、硅棒、硅片、太阳能电池和小组件。根据多年发展以及不断改进，很多TOP的研究机构以及硅片、电池、组件生产商正在使用该设备。主要应用包括工艺改进、实验室研发、工艺调试和根源问题分析、质量保证与质量控制，及安装过程和设备终验收过程的提速。LIS-R3 应用了BT imaging的光致发光技术和Rs成像、电致发光成像、偏压PL成像、QSS-PC注入水平决定的少子寿命曲线、校准少子寿命成像、深度的图像处理算法自动得出的硅片和硅碇缺陷参数、Suns-Voc曲线、暗场及光场IV测试，加上LIS-R系列软件更新包的一系列新的分析方法。

LIS-R2-Plus

光伏实验室和质量控制方面的全能型研发设备

LIS-R2-Plus得益于BT Imaging的大量开发工作，降低了原有LIS-R2实验室设备的成本。现在我们通过降低新的LIS-R2设备售价的方式，将福利回馈给客户。全新的LIS-R2-Plus是领先的综合性PL实验室测量设备，可测硅块、硅片和电池。它也适用于电池生产线中的抽样检查，帮助实现快速的每条工艺产线上的反馈和调试。由BT Imaging大量专利支持。

iLS-W3

产线硅片检测

iLS-W3是拥有全新设计的软硬件的终极硅片电学质量检测模块，是用于硅片和电池产线的检测系统。该设备融合了BT Imaging的专利PL成像技术，测片速度高达5400片每小时。有众多光致发光专利和市场领先的算法的在线PL检测机台。典型使用案例包括硅片拒收、通过电池效率预测进行硅片质量分选、硅片和电池R&D，及产线工艺改进以及调试。

iLS-C3

产线电池缺陷检测

iLS-C3是针对产线电池最新推出的连续性PL成像检测模块，是比EL成像检测更快且不接触检测样品的方式。利用自动成像算法，iLS-C3可以在生产过程中找到一片电池的所有缺陷并选择拒收。该模块的配置可以针对过程片PL检测。

LIS-B3

产线硅块与晶棒检测

LIS-B3是BT Imaging的最新硅块和晶棒产线的检测设备，通过报告此类样品的体寿命来确保后续生产的硅片可作为高效电池的材料。该设备质量控制和工艺改进的帮手。LIS-B3的设计是与领先的硅块和硅碇生产商缜密磋商的结果。硅块和硅碇由人工或者机械装载。测量速率能够满足100%产品检测。

它可以轻松适配多数电池设计和分选设备

（光致发光成像检测系统）
    LIS-R3

LIS-R3是一台全新升级的TOP实验室设备，适用于硅块、硅棒、硅片、太阳能电池和小组件。根据多年发展以及不断改进，很多TOP的研究机构以及硅片、电池、组件生产商正在使用该设备。主要应用包括工艺改进、实验室研发、工艺调试和根源问题分析、质量保证与质量控制，及安装过程和设备终验收过程的提速。LIS-R3 应用了BT imaging的光致发光技术和Rs成像、电致发光成像、偏压PL成像、QSS-PC注入水平决定的少子寿命曲线、校准少子寿命成像、深度的图像处理算法自动得出的硅片和硅碇缺陷参数、Suns-Voc曲线、暗场及光场IV测试，加上LIS-R系列软件更新包的一系列新的分析方法。

LIS-R2-Plus

光伏实验室和质量控制方面的全能型研发设备

LIS-R2-Plus得益于BT Imaging的大量开发工作，降低了原有LIS-R2实验室设备的成本。现在我们通过降低新的LIS-R2设备售价的方式，将福利回馈给客户。全新的LIS-R2-Plus是领先的综合性PL实验室测量设备，可测硅块、硅片和电池。它也适用于电池生产线中的抽样检查，帮助实现快速的每条工艺产线上的反馈和调试。由BT Imaging大量专利支持。

iLS-W3

产线硅片检测

iLS-W3是拥有全新设计的软硬件的终极硅片电学质量检测模块，是用于硅片和电池产线的检测系统。该设备融合了BT Imaging的专利PL成像技术，测片速度高达5400片每小时。有众多光致发光专利和市场领先的算法的在线PL检测机台。典型使用案例包括硅片拒收、通过电池效率预测进行硅片质量分选、硅片和电池R&D，及产线工艺改进以及调试。

iLS-C3

产线电池缺陷检测

iLS-C3是针对产线电池最新推出的连续性PL成像检测模块，是比EL成像检测更快且不接触检测样品的方式。利用自动成像算法，iLS-C3可以在生产过程中找到一片电池的所有缺陷并选择拒收。该模块的配置可以针对过程片PL检测。

LIS-B3

产线硅块与晶棒检测

LIS-B3是BT Imaging的最新硅块和晶棒产线的检测设备，通过报告此类样品的体寿命来确保后续生产的硅片可作为高效电池的材料。该设备质量控制和工艺改进的帮手。LIS-B3的设计是与领先的硅块和硅碇生产商缜密磋商的结果。硅块和硅碇由人工或者机械装载。测量速率能够满足100%产品检测。

它可以轻松适配多数电池设计和分选设备