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• 少子寿命测试仪WCT-120MX+Suns-VocMX
  少子寿命测试仪WCT-120MX+Suns-VocMX 美国Sinton公司 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc产品资料 1、  设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等  Suns-Voc包括如下部分：1）  放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等  少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2）  量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3）  量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4）  量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05）  量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6）  WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs     2、  技术参数2.1 WCT-120技术参数1）  符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2）  量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3）  硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4）  量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5）  量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6）  可调光偏压范围：0-50suns7）  经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38）  光源光谱：白光和红外光9）  光源波长：>1000nm10）     量测样品感应器大小：直径为40mm11）     感应器感应深度：3000um12）     量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13）     量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14）     样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied ...