掺

• 掺杂浓度测量
    除了薄层电阻，详细了解硅片的真实掺杂浓度亦非常重要。研究和生产中主要有三种典型技术用于检测掺杂浓度：二次离子质谱法（SIMS），电化学电容-电压法（ECV）和电阻分布法。 SIMS测试包括使用高能粒子对样品进行物理刻蚀及随后的原子质量分析，SIMS既能探测电活性杂质也能探测非电活性杂质。但是，其相对价格昂贵且耗时，在绒面上使用更是一个挑战。 电化学电容-电压测试是太阳电池研究发展中最常见的用于测量掺杂特性的工具，其相对廉价且快速。硅样品插入电解液中从而导致肖特基接触的形成，随后，在样品上施加一个小的交流偏置信号，该交流信号将导致耗尽区发生改变，进而电容发生改变。电容的改变量可用于计算表面区域的载流子浓度。如果将该样品按照预先设定的时间进行刻蚀剥离，而后继续上述测量，可以测量载流子浓度随深度的变化。ECV仅用于测量电活性杂质。 ...