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• Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: BLS-I/BCT-400少子寿命测试仪
  内容： Sinton少子寿命测试仪BLS-I/BCT-400: 优越的硅锭测试仪器 简单、精确、无接触式地测量初长成态或已加工成型硅棒或硅锭的真实体寿命。遵从SEMI标准PV-13。 BLS-I的减震收缩垫能够很好地适应不同的硅锭曲率，所以能够测量各种长成态或已加工成型的硅锭表面。 BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命. 因为少子寿命作为衡量生长和缺陷含量的的最敏感的技术参数，这个工具直接获得长硅的质量参数。 作为最易于使用的测量工具BLS，只需要有直径150mm大小的平面。如果只是测量平面样品的话，请选择BCT-400。   BLS-I和BCT-400测量系统可以直接测量单晶或多晶硅锭或硅砖的寿命，而无需进行表面钝化。由于寿命测试是表征晶体生长和杂质缺陷最灵敏的技术之一，使用该系列产品，您可以在晶体长成后立刻对晶硅质量进行评估。 BLS-I设备应用灵活，能够测量各种各样的表面（150 mm直径的曲面至平面）。BCT-400设备更加小巧，专为测量平面设计。BCT-400还可以集成到自动化工作站中，同时对测试软件进行相应设置就能实现无缝自动化测量。   例 1：对寿命 8 ms 的 n 型硅锭的一次瞬态测试   例 2：图为 p 型多晶硅块的寿命测量数据，显示了硅块从底部到顶部典型的寿命变化特征。每次测试结果也包括陷阱浓度和电阻率（此处未显示)。 Sinton少子寿命测试仪BLS-I/BCT-400系统功能 主要应用: 对寿命在 1-10 毫秒范围内的高纯度硅进行测定 对未经特殊表面处理的长成态 B-Cz 单晶硅棒进行质量检验 对多晶硅锭的寿命和陷阱浓度进行表征 其他应用: 检测B-O 缺陷、Fe 污染和表面损伤 监测 Cz 直拉硅、Fz 区熔硅、多晶硅或 UMG升级冶金硅的初始材料质量 Sinton BCT-400少子寿命测量仪 BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命.是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。 Sinton BLS-I少子寿命测量仪 BLS-I测量系统用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块 体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体 内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源 测量参数 少子寿命、电阻率、陷阱密度 可测量的少子寿命范围 0.1us-10ms 可测量的电阻率范围 0.5-300ohm.cm 分析模式 准稳态方法少子寿命分析 瞬态方法少子寿命分析 一般方法少子寿命分析 可施加的用于修正陷阱的偏执光范围 0-50suns 可以测量的样品的表面类型 表面为平的硅块样品（BCT-400） 表面不平整的硅块样品（BLS-I） 不平整弧度的直径可达150mm 光源光谱 白光和红外光 感应器的面积 45cm*45cm 可测量深度 3mm 操作简单、灵敏度高 项目 内容 测量参数 少子寿命、电阻率、陷阱密度 可测量的少子寿命范围 0.1us-10ms 可测量的电阻率范围 0.5-300ohm.cm 分析模式 准稳态方法少子寿命分析 瞬态方法少子寿命分析 一般方法少子寿命分析 可施加的用于修正陷阱的偏执光范围 0-50suns 可以测量的样品的表面类型 表面为平的硅块样品（BCT-400） 表面不平整的硅块样品（BLS-I） 不平整弧度的直径可达150mm 光源光谱 白光和红外光 感应器的面积 45cm*45cm 可测量深度 3mm ...
• 商务条款FAQ: Sinton instruments 少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120
  内容： Sinton instruments 少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120 硅片少子寿命测试系统      美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。     美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。主要应用：分布监控和优化制造工艺其它应用： 检测原始硅片的性能测试过程硅片的重金属污染状况评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。 主要特点：只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试，包括表面电阻，少子寿命，陷阱密度，发射极饱和电流密度和隐含电压。 少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120常见问题：美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）准稳态光电导衰减法，而WT2000是微波光电导衰减法。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导） 准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？    QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。    MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。　少子寿命测试仪性能参数？ 测量原理：QSSPC（准稳态光电导）； 少子寿命测量范围：100 ns-10 ms；测试模式：QSSPC，瞬态，寿命归一化分析；电阻率测量范围：3–600 (undoped) Ohms/sq.；注入范围：1013-1016cm-3；感测器范围：直径40-mm；测量样品规格：标准直径: 40–210 ...

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