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商务条款FAQ: 光伏和半导体客户售前FAQ客户须知
内容： 鉴于目前疫情泛滥供应链危机和海量意向客户不能一一作答，特制定本FAQ客户须知 1. 由于疫情影响，物流与供应链随时都有可能受影响，我们的交货期与不可预知的延长或者不稳定，我们的承诺的交货期均会加“排除受疫情影响的不承担责任的‘条款，如果不能接受此条款的客户，请绕道。补充说明：目前供应链正在陆续恢复，有可能交货期会提前。 2. 由于疫情影响，我们的售后工程师不一定能够自由出差，我们承诺的售后安装培训服务，会有相当部分会基于语音视频+网络远程协助方式，如果不能接受此条款的客户，请绕道。补充说明：由于订单太多，有些仪器客户已经非常熟悉，我们建议客户在我们指导下自行安装。 3. 少部分光伏客户10%设备验收款存在无理由拖延现象，这种不守信用的方式，影响到我们公司的利益和中国公司在国外供应商的声誉，对于多次拖延付款的客户，我们可能会终止合作。有保留的会采取后期合作采用100%预付方式。 4. 我们选择的国外供应商均为行业内技术优势明显，市场占有率数一数二，我们也有多年的技术支持经验，为了减轻客户不必要的顾虑，对于少子寿命测试仪产品系列，我们承诺下单后，发货前可无条件取消订单（退预付款），发货一个月内可在保证设备无损坏的情况可退货。 5.我们可以为客户代报关进口。如果客户选择外币合同，我们发货到客户指定的机场，其他需要客户自行安排进口报关。 6.由于我们客户问询非常多，有些客户要求我们填写的他们内部格式的各种表格，我们可能没有时间填写，希望客户自行填写。我们会陆续把有些必要信息放在共享网站或者服务器，部分会加密分享给客户。建议客户利用好我们网站的内部搜索功能，非常好用。而且会越来越好用！ ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: BLS-I/BCT-400少子寿命测试仪
内容： Sinton少子寿命测试仪BLS-I/BCT-400: 优越的硅锭测试仪器简单、精确、无接触式地测量初长成态或已加工成型硅棒或硅锭的真实体寿命。遵从SEMI标准PV-13。 BLS-I的减震收缩垫能够很好地适应不同的硅锭曲率，所以能够测量各种长成态或已加工成型的硅锭表面。 BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命. 因为少子寿命作为衡量生长和缺陷含量的的最敏感的技术参数，这个工具直接获得长硅的质量参数。作为最易于使用的测量工具BLS，只需要有直径150mm大小的平面。如果只是测量平面样品的话，请选择BCT-400。 BLS-I和BCT-400测量系统可以直接测量单晶或多晶硅锭或硅砖的寿命，而无需进行表面钝化。由于寿命测试是表征晶体生长和杂质缺陷最灵敏的技术之一，使用该系列产品，您可以在晶体长成后立刻对晶硅质量进行评估。 BLS-I设备应用灵活，能够测量各种各样的表面（150 mm直径的曲面至平面）。BCT-400设备更加小巧，专为测量平面设计。BCT-400还可以集成到自动化工作站中，同时对测试软件进行相应设置就能实现无缝自动化测量。例 1：对寿命 8 ms 的 n 型硅锭的一次瞬态测试例 2：图为 p 型多晶硅块的寿命测量数据，显示了硅块从底部到顶部典型的寿命变化特征。每次测试结果也包括陷阱浓度和电阻率（此处未显示)。 Sinton少子寿命测试仪BLS-I/BCT-400系统功能主要应用: 对寿命在 1-10 毫秒范围内的高纯度硅进行测定对未经特殊表面处理的长成态 B-Cz 单晶硅棒进行质量检验对多晶硅锭的寿命和陷阱浓度进行表征其他应用: 检测B-O 缺陷、Fe 污染和表面损伤监测 Cz 直拉硅、Fz 区熔硅、多晶硅或 UMG升级冶金硅的初始材料质量 Sinton BCT-400少子寿命测量仪 BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命.是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。 Sinton BLS-I少子寿命测量仪 BLS-I测量系统用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源测量参数少子寿命、电阻率、陷阱密度可测量的少子寿命范围 0.1us-10ms 可测量的电阻率范围 0.5-300ohm.cm 分析模式准稳态方法少子寿命分析瞬态方法少子寿命分析一般方法少子寿命分析可施加的用于修正陷阱的偏执光范围 0-50suns 可以测量的样品的表面类型表面为平的硅块样品（BCT-400）表面不平整的硅块样品（BLS-I）不平整弧度的直径可达150mm 光源光谱白光和红外光感应器的面积 45cm*45cm 可测量深度 3mm 操作简单、灵敏度高项目内容测量参数少子寿命、电阻率、陷阱密度可测量的少子寿命范围 0.1us-10ms 可测量的电阻率范围 0.5-300ohm.cm 分析模式准稳态方法少子寿命分析瞬态方法少子寿命分析一般方法少子寿命分析可施加的用于修正陷阱的偏执光范围 0-50suns 可以测量的样品的表面类型表面为平的硅块样品（BCT-400）表面不平整的硅块样品（BLS-I）不平整弧度的直径可达150mm 光源光谱白光和红外光感应器的面积 45cm*45cm 可测量深度 3mm ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: 少子寿命测试仪WCT-120MX+Suns-VocMX
内容： 少子寿命测试仪WCT-120MX+Suns-VocMX 美国Sinton公司少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc产品资料 1、设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等 Suns-Voc包括如下部分：1）放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2）量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3）量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4）量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05）量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6） WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs 2、技术参数2.1 WCT-120技术参数1）符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2）量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3）硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4）量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC），瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5）量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6）可调光偏压范围：0-50suns7）经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38）光源光谱：白光和红外光9）光源波长：>1000nm10）量测样品感应器大小：直径为40mm11）感应器感应深度：3000um12）量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13）量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14）样品的赝开路电压（Implied Voc）：可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied ...
商务条款FAQ: ECV选型技术问题
内容： ECV有多少个型号？答：针对光伏行业就是一个型号“CVP21”标准型，软件针对光伏行业做了优化。半导体行业有一些特殊配件上海瞬渺光电官方中国授权全自动电化学CV分布仪光伏太阳能领域代理商！服务众多知名光伏企业！本设备适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，　例如：Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.CVP21的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布．选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制CVP21的系统特点• 坚固可靠的模块化系统结构．光学，电子和化学部分相对独立．• 精确的测量电路模块• 强力的控制软件，系统操作，使用简便• 完善的售后服务体系电化学ECV 掺杂浓度检测电化学CV分布仪（CV测试仪）电化学CV剖面分析仪电化学CV载流子浓度结深测试仪特别推荐晶硅太阳能电池研究单位使用 ECV/结深测试仪/扩散浓度分选仪德国WEP公司的ECV（型号为CVP21）在太阳能光伏行业的应用非常普及，市场占有率甚至达95%以上，是光伏行业电池技术研究和发展的必要工具之一，几乎知名的光伏企业都有使用。 WEP公司的ECV设备：CVP21（见图）1. ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布（见图）；2. 相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有测量使用方便，价格低的优点； WEP公司的ECV具有独特技术可应用于测试电池片的绒面样片，这也是其被广泛使用的原因之一；4. CVP21所能测量的深度范围是nm---10um;5. 测量的载流子浓度范围在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之内都无需校准；6. 测量扩散样片时，样片是保持“Dry in”和“Dry out”，并无需做特别处理；7. 其所用到的化学试剂本地就能买到，价格低且用量很少买一次可以用好几年；8. 从CVP21所测得的数据能带给研发或工艺人员三方面的信息：一是表面浓度，二是浓度变化曲线，三是结深（见图）；9. 表面浓度对于选择和使用适合的浆料很有帮助，如粘合性，接触电阻等的匹配问题；10. 浓度分布曲线对掌握和改进扩散工艺提供依据；11. 结深的信息对电池工艺的总体把握来说是必须的，也是扩散工艺时常需要抽测的项目之一；12. 参考：测试出的几种扩散浓度分布曲线（见图）；13. ...
商务条款FAQ: Sinton instruments 少子寿命测试仪硅片少子寿命测试系统 wct-120
内容： Sinton instruments 少子寿命测试仪硅片少子寿命测试系统 wct-120 硅片少子寿命测试系统美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。主要应用：分布监控和优化制造工艺其它应用：检测原始硅片的性能测试过程硅片的重金属污染状况评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。主要特点：只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试，包括表面电阻，少子寿命，陷阱密度，发射极饱和电流密度和隐含电压。少子寿命测试仪硅片少子寿命测试系统 wct-120常见问题：美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）准稳态光电导衰减法，而WT2000是微波光电导衰减法。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？ QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。　少子寿命测试仪性能参数？测量原理：QSSPC（准稳态光电导）；少子寿命测量范围：100 ns-10 ms；测试模式：QSSPC，瞬态，寿命归一化分析；电阻率测量范围：3–600 (undoped) Ohms/sq.；注入范围：1013-1016cm-3；感测器范围：直径40-mm；测量样品规格：标准直径: 40–210 ...
光伏专用电化学ECV FAQ: ECV安装环境要求
内容： 仪器名称电化学CV测试仪型号CVP21供应商名称瞬渺光电设备重量80kg设备尺寸（长、宽、高）70cm*60cm*40cm额定电压/功率220V/50Hz300瓦配属设施(是否用电脑、桌子等）是标配设施主系统，电化学室，参考电极彩色CCD相机，计算机，打印机等等水气需求情况1. 真空泵Vacuum to hold sample(<0.2 bar) Tube ID4mm/ OD6mm2. N2 or dry air(oil free, to dry sample after process)Tube ID4mm/ OD6mm Typ. 4 bar.(should be adjustable 2-6bar) 水气排放状况1.有盖子石灰水塑料桶一个（废液处理）2.排气管道一个Exhaust Tube with ¾ inch ...
商务条款FAQ: ECV简单介绍
内容： 电化学ECV 掺杂浓度检测电化学CV分布仪（CV测试仪）电化学CV剖面分析仪电化学CV载流子浓度结深测试仪全自动电化学CV分布仪 CVP21 光伏太阳能领域的首选! 众多科研和半导体领域用户的的首选! 上海瞬渺光电官方中国最佳全自动电化学CV分布仪光伏太阳能领域代理商！服务众多知名光伏企业！本设备适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，　例如：Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.CVP21的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布．选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制CVP21的系统特点• 坚固可靠的模块化系统结构．光学，电子和化学部分相对独立．• 精确的测量电路模块• 强力的控制软件，系统操作，使用简便• 完善的售后服务体系电化学ECV 掺杂浓度检测电化学CV分布仪（CV测试仪）电化学CV剖面分析仪电化学CV载流子浓度结深测试仪特别推荐晶硅太阳能电池研究单位使用 ECV/结深测试仪/扩散浓度分选仪德国WEP公司的ECV（型号为CVP21）在太阳能光伏行业的应用非常普及，市场占有率甚至达95%以上，是光伏行业电池技术研究和发展的必要工具之一，几乎知名的光伏企业都有使用。 WEP公司的ECV设备：CVP21（见图）1. ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布（见图）；2. 相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有测量使用方便，价格低的优点； WEP公司的ECV具有独特技术可应用于测试电池片的绒面样片，这也是其被广泛使用的原因之一；4. CVP21所能测量的深度范围是nm---10um;5. 测量的载流子浓度范围在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之内都无需校准；6. 测量扩散样片时，样片是保持“Dry in”和“Dry out”，并无需做特别处理；7. 其所用到的化学试剂本地就能买到，价格低且用量很少买一次可以用好几年；8. ...
接触电阻测试仪 TLM-SCAN FAQ: 接触电阻率和薄层电阻 TLM-SCAN+简介
内容： 接触电阻率和薄层电阻 TLM-SCAN+ 多功能太阳电池栅线接触电阻测试仪在太阳能电池电极优化中，接触电阻是需要考量的一个重要方面。接触电阻的大小不仅与接触的图形有关，还与扩散工艺及烧结工艺有关。测量接触电阻率可以反映扩散、电极制作、烧结等工艺中存在的问题。该检测设备共计 2 种测试功能，可切换使用：1、接触电阻率测试；2、线电阻测试。接触电阻率和薄层电阻 TLM-SCAN+前金属化的接触电阻是对丝网印刷太阳能电池的总串联电阻的重要贡献。具有合适测试结构的转移长度方法是将接触电阻与其他串联电阻效应分开的最佳方法。然而，接触电阻可以在太阳能电池上显着变化，因此需要在成品太阳能电池上以空间分辨率测量它的方法。 TLM-SCAN产生太阳能电池的接触电阻率的映射，该太阳能电池用激光或切割锯切割成条纹。右侧的映射显示了分辨率和可重复性，因为它显示了14次测量的相同条带。接触电阻率测量仪这款紧凑型仪器测量成品太阳能电池的接触电阻率，手指线电阻，手指宽度和手指高度，或者测试结构。通过在所有轴上电动化，可以通过按一个按钮来创建所有这些方法的地图。用于测量薄扩散层的薄层电阻和晶圆电阻率的四点探头，使得TLM-SCAN 成为一种低成本，快速，高质量的四点探针贴图仪。使操作更简单的功能：自动位置校正以获得最佳接触质量盖子关闭时自动启动自动采样编号软件探头识别精确的导航与欢乐棒和显微镜相机通过点击图像来探测定位和重新测量单点多功能太阳电池栅线接触电阻测试仪晶体硅太阳能电池的表面金属欧姆接触的好坏通过接触电阻来反映。在太阳能电池电极优化中，接触电阻是需要考量的一个重要方面。接触电阻的大小不仅与接触的图形有关，还与扩散工艺及接触形成工艺有关。不同栅线图形的欧姆接触好坏可以通过接触电阻率的大小来反映。因此，通过对接触电阻率的研究计算可以反映扩散、电极制作和烧结等工艺中存在的问题。但现在的测量方法存在测量时间长、效率低、精度差等缺陷，而又同时缺少一种专门测量太阳能电池接触电阻的测试设备，因此不利于太阳能电池接触电阻测量在产线上的应用。本技术成果采用TLM法测量接触电阻，结合电机平台、摄像头及计算机控制等技术已基本能实现自动测量和结果分析计算等功能。市场预测：本技术成果可应用于电池生产厂家、银浆生产厂家等与电池栅线工艺有关的企业，以便快速测量栅线接触电阻检测改进工艺。目前还没有成熟的本类产品，如能及早开发及产业化推广，本技术开发的产品将在市场上占得先机。目前，实验室已制备出可以应用的样机，某些银浆生产厂家已试用过并以测量结果作为参考改进产品。一个样品上多个TLM测试图案的批处理模式序列模式通过按一个按钮来测量接触电阻率和手指几何图形的映射 Contact resistivity and more Contact resistivity and sheet resistance The contact resistance of the front ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: 什么决定了硅片的寿命?
内容： 硅的体寿命取决于硅的化学纯度和具体的晶体生长方式。单晶硅具有近乎完美的结构，每个原子都在晶格结构中处于最佳位置。如果足够纯净，这种晶体材料可以有很高的寿命。多晶硅的生长成本较低，有很多晶体缺陷，例如晶界和位错。这些晶体缺陷会使多晶硅的寿命低于用同样原材料长成的单晶硅。金属杂质对寿命尤其有害，已经有广泛的研究。例如，百亿分之一的铁杂质污染就能严重影响晶体硅的寿命。不幸的是，铁是一种很常见的污染物，因为大多数拉晶、机加和切片的机器都会使用不锈钢的零件。对于硅片来说，所测的寿命通常受到表面效应和表面扩散质量（发射极饱和电流密度）的影响。可以使用Sinton寿命测试仪来监控和优化相关的生产工艺。 ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: 测试仪如何分析数据?
内容： 我们使用瞬态光电导技术，和我们在1994年开发的准稳态光电导（QSSPC）方法。对于精确测量载流子复合寿命，这些方法是业界公认的校准最仔细的技术。文献中有超过1000篇的学术论文讨论这些测试技术所采集和分析的数据。 ...

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