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商务条款FAQ: 薄层电阻测量
内容： 薄层电阻是一种简单快速的测量技术，薄层电阻率定义式为：其中： � 是电阻率，t是厚度， �□ 薄层电阻的单位是Ω/□。常见用于测量薄层电阻的是四探针（4PP），四根等间探针呈直线分布或正反向分布，两个探针测量电流，两个探针测量电压。测量过程假设电流只在探针接触区流动，两个探针间流过稳定电流，测量另外两个探针间的电压降。掺杂原子的均匀性可以通过在硅片表面一系列的测试获得。 ...
其他仪器技术支持FAQ: 澳大利亚BT Imaging公司 R3&R2-Plus PL成像检测系统（光致发光成像检测系统） LIS-R3
内容： 澳大利亚BT Imaging公司 R3&R2-Plus PL成像检测系统（光致发光成像检测系统） LIS-R3 LIS-R3是一台全新升级的TOP实验室设备，适用于硅块、硅棒、硅片、太阳能电池和小组件。根据多年发展以及不断改进，很多TOP的研究机构以及硅片、电池、组件生产商正在使用该设备。主要应用包括工艺改进、实验室研发、工艺调试和根源问题分析、质量保证与质量控制，及安装过程和设备终验收过程的提速。LIS-R3 应用了BT imaging的光致发光技术和Rs成像、电致发光成像、偏压PL成像、QSS-PC注入水平决定的少子寿命曲线、校准少子寿命成像、深度的图像处理算法自动得出的硅片和硅碇缺陷参数、Suns-Voc曲线、暗场及光场IV测试，加上LIS-R系列软件更新包的一系列新的分析方法。 LIS-R2-Plus 光伏实验室和质量控制方面的全能型研发设备 LIS-R2-Plus得益于BT Imaging的大量开发工作，降低了原有LIS-R2实验室设备的成本。现在我们通过降低新的LIS-R2设备售价的方式，将福利回馈给客户。全新的LIS-R2-Plus是领先的综合性PL实验室测量设备，可测硅块、硅片和电池。它也适用于电池生产线中的抽样检查，帮助实现快速的每条工艺产线上的反馈和调试。由BT Imaging大量专利支持。 iLS-W3 产线硅片检测 iLS-W3是拥有全新设计的软硬件的终极硅片电学质量检测模块，是用于硅片和电池产线的检测系统。该设备融合了BT Imaging的专利PL成像技术，测片速度高达5400片每小时。有众多光致发光专利和市场领先的算法的在线PL检测机台。典型使用案例包括硅片拒收、通过电池效率预测进行硅片质量分选、硅片和电池R&D，及产线工艺改进以及调试。 iLS-C3 产线电池缺陷检测 iLS-C3是针对产线电池最新推出的连续性PL成像检测模块，是比EL成像检测更快且不接触检测样品的方式。利用自动成像算法，iLS-C3可以在生产过程中找到一片电池的所有缺陷并选择拒收。该模块的配置可以针对过程片PL检测。 LIS-B3 产线硅块与晶棒检测 LIS-B3是BT Imaging的最新硅块和晶棒产线的检测设备，通过报告此类样品的体寿命来确保后续生产的硅片可作为高效电池的材料。该设备质量控制和工艺改进的帮手。LIS-B3的设计是与领先的硅块和硅碇生产商缜密磋商的结果。硅块和硅碇由人工或者机械装载。测量速率能够满足100%产品检测。它可以轻松适配多数电池设计和分选设备（光致发光成像检测系统） LIS-R3 LIS-R3是一台全新升级的TOP实验室设备，适用于硅块、硅棒、硅片、太阳能电池和小组件。根据多年发展以及不断改进，很多TOP的研究机构以及硅片、电池、组件生产商正在使用该设备。主要应用包括工艺改进、实验室研发、工艺调试和根源问题分析、质量保证与质量控制，及安装过程和设备终验收过程的提速。LIS-R3 应用了BT imaging的光致发光技术和Rs成像、电致发光成像、偏压PL成像、QSS-PC注入水平决定的少子寿命曲线、校准少子寿命成像、深度的图像处理算法自动得出的硅片和硅碇缺陷参数、Suns-Voc曲线、暗场及光场IV测试，加上LIS-R系列软件更新包的一系列新的分析方法。 LIS-R2-Plus 光伏实验室和质量控制方面的全能型研发设备 LIS-R2-Plus得益于BT Imaging的大量开发工作，降低了原有LIS-R2实验室设备的成本。现在我们通过降低新的LIS-R2设备售价的方式，将福利回馈给客户。全新的LIS-R2-Plus是领先的综合性PL实验室测量设备，可测硅块、硅片和电池。它也适用于电池生产线中的抽样检查，帮助实现快速的每条工艺产线上的反馈和调试。由BT Imaging大量专利支持。 iLS-W3 产线硅片检测 iLS-W3是拥有全新设计的软硬件的终极硅片电学质量检测模块，是用于硅片和电池产线的检测系统。该设备融合了BT Imaging的专利PL成像技术，测片速度高达5400片每小时。有众多光致发光专利和市场领先的算法的在线PL检测机台。典型使用案例包括硅片拒收、通过电池效率预测进行硅片质量分选、硅片和电池R&D，及产线工艺改进以及调试。 iLS-C3 产线电池缺陷检测 iLS-C3是针对产线电池最新推出的连续性PL成像检测模块，是比EL成像检测更快且不接触检测样品的方式。利用自动成像算法，iLS-C3可以在生产过程中找到一片电池的所有缺陷并选择拒收。该模块的配置可以针对过程片PL检测。 LIS-B3 产线硅块与晶棒检测 LIS-B3是BT Imaging的最新硅块和晶棒产线的检测设备，通过报告此类样品的体寿命来确保后续生产的硅片可作为高效电池的材料。该设备质量控制和工艺改进的帮手。LIS-B3的设计是与领先的硅块和硅碇生产商缜密磋商的结果。硅块和硅碇由人工或者机械装载。测量速率能够满足100%产品检测。它可以轻松适配多数电池设计和分选设备 ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: BCT-400和BLS-1有什么区别
内容： BCT-400一般用来测硅锭，只能测平面；BLS一般用来测硅棒，测量范围：测直径150mm～平面。 ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: 什么是复合寿命?
内容： 当光照射晶体硅时，能量高于阈值能量即晶硅带隙的光子会被晶硅吸收，产生过剩载流子。这些载流子在返回低能量状态之前，会存活一段时间，存活的特征时间就是它们的“寿命”。回到低能量状态的过程叫做复合，所以过剩载流子回到低能量状态的特征时间叫做复合寿命。 ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: 寿命如何影响太阳电池的效率?
内容： 如果过剩载流子的寿命比它穿过硅片厚度所需要的时间也就是过渡时间长，那么光产生的大部分过剩载流子都可以以电流的形式从电池端被收集。如果硅片材料中载流子的寿命比过渡时间长很多，那么可以在更高的电压下收集电流，将收集的电流固定不变时，寿命越高电压就越高。如果太阳电池的所有其他设计都相同，具有较高载流子复合寿命的电池将具有更高的效率。高效太阳电池的设计很大程度上依赖于载流子寿命。标准的太阳电池只在一定程度上依赖于载流子寿命，因为电池效率随着寿命升高到一定程度后，会受其他损失的限制出现平台而不再上升。 ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: 什么决定了硅片的寿命?
内容： 硅的体寿命取决于硅的化学纯度和具体的晶体生长方式。单晶硅具有近乎完美的结构，每个原子都在晶格结构中处于最佳位置。如果足够纯净，这种晶体材料可以有很高的寿命。多晶硅的生长成本较低，有很多晶体缺陷，例如晶界和位错。这些晶体缺陷会使多晶硅的寿命低于用同样原材料长成的单晶硅。金属杂质对寿命尤其有害，已经有广泛的研究。例如，百亿分之一的铁杂质污染就能严重影响晶体硅的寿命。不幸的是，铁是一种很常见的污染物，因为大多数拉晶、机加和切片的机器都会使用不锈钢的零件。对于硅片来说，所测的寿命通常受到表面效应和表面扩散质量（发射极饱和电流密度）的影响。可以使用Sinton寿命测试仪来监控和优化相关的生产工艺。 ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: Sinton Instruments的仪器如何测量寿命?
内容： 我们的测试系统使用涡旋电流方法。将一个传感器（内置于仪器样品台的线圈）置于晶硅样品附近并向晶硅发射电磁波。然后用光脉冲照射样品以产生过剩载流子，线圈电路能够感应到由过剩载流子引起的电导升高。测试系统分析这些数据并给出光脉冲期间以及结束之后的过剩载流子的寿命。 ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: 测试仪如何分析数据?
内容： 我们使用瞬态光电导技术，和我们在1994年开发的准稳态光电导（QSSPC）方法。对于精确测量载流子复合寿命，这些方法是业界公认的校准最仔细的技术。文献中有超过1000篇的学术论文讨论这些测试技术所采集和分析的数据。 ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: 可以测量表面复合速度吗?
内容： 可以，在文献中，这些仪器是最常用的测量表面复合速度的仪器。购买设备时提供的应用说明中可以找到更多有关的细节。 ...
Sinton Instruments少子寿命测试仪部分FAQ: 测试系统可以测量发射极饱和电流密度吗?
内容： 这是仪器的另一个常见的用途。购买设备时提供的应用说明中可以找到更多有关的细节。 ...

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